參數(shù)資料
型號： FQP26N03L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第26A條（丁）|至220
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： FQP26N03L
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP45N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220
FQP5N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220
FQPF24N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220F
FQPF26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220F
FQPF2N70 700V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP27N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP27N25 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 250V 25.5A TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
FQP27P06 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP27P06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220
FQP27P06_F080 制造商:Fairchild 功能描述:60V/27A P-CH MOSFET
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