參數(shù)資料
型號: FQP13N10L
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 6.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 65W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件