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參數(shù)資料
| 型號： | FQI11P06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11.4 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 566K |
| 代理商： | FQI11P06 |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
※
Note : I
D
= 11.4 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
600
1200
1800
2400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
150
℃
25
℃
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
DS
= 40V
1. V
μ
s Pulse Test
-55
℃
25
℃
150
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
GS
V
10 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB11N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQB11P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQI12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI12N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI11P06TU | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI12N20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11.6A I(D) | TO-262AA |
| FQI12N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI12N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI12N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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