參數資料
型號： FQI10N20C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 9.5 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數： 4/9頁
文件大小： 608K
代理商： FQI10N20C
Rev. A, August 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o tes :
1. Z
θ
2. D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 1 .7 4
℃
/W M a x.
J C
(t)
sin g le pu lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W ave P u lse D u ra tio n [se c]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
100
μ
s
DC
1 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.75 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
t
1
P
DM
t
2
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
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