參數(shù)資料
型號(hào)： FQD7P06
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 5.4 A, 60 V, 0.451 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 645K
代理商： FQD7P06
F
Rev. A, September 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
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(
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2.30TYP
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MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU7P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-5.4A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD7P20 200V P-Channel MOSFET
FQU7P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為-5.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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FQD9N08 80V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
FQD7P06TF 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06TM 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06TM_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 60V 5.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06TM_NB82050 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7P06TMNB82050 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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