參數(shù)資料
型號： FQD6N60CTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 4 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 678K
代理商： FQD6N60CTM
5
www.fairchildsemi.com
FQD6N60C Rev. A
F
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
FQD6P25 250V P-Channel MOSFET
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FQD7N10 100V N-Channel MOSFET
FQU7N10 100V N-Channel MOSFET
FQD7N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.5A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQD6N60CTM_WS 功能描述:MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQD6P25TF 功能描述:MOSFET 250V P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD6P25TM 功能描述:MOSFET P-CH/250V/4.7A/1.1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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