參數(shù)資料
型號： FQD60N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm
中文描述： 30 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： FQD60N03L
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD60N03L Rev. B1
F
SPICE Thermal Model
REV June 2002
FQD60N03LT
CTHERM1 th 6 1.3e-3
CTHERM2 6 5 1.5e-3
CTHERM3 5 4 1.6e-3
CTHERM4 4 3 1.7e-3
CTHERM5 3 2 5.8e-3
CTHERM6 2 tl 4.0e-2
RTHERM1 th 6 2.7e-3
RTHERM2 6 5 3.7e-3
RTHERM3 5 4 5.3e-2
RTHERM4 4 3 6.3e-1
RTHERM5 3 2 7.4e-1
RTHERM6 2 tl 7.6e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FQD60N03LT
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 1.3e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 1.5e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 1.6e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 1.7e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 5.8e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 4.0e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 2.7e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 3.7e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 5.3e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 6.3e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 7.4e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 7.6e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD6N25 250V N-Channel MOSFET
FQU6N25 250V N-Channel MOSFET
FQD6N40C 400V N-Channel MOSFET
FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET
FQD6N40 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD60N03LTF 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD60N03LTM 功能描述:MOSFET 30V N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD630 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQD630TF 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD630TM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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