參數(shù)資料
型號(hào): FQD4N50
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大?。?/td> 743K
代理商: FQD4N50
=#
"A!=
%
G
!
"
#$%&
G
'(
')
'*
+$%
$+,%
-
.
'4+E40;4H++;;+*;E;+49E'I;E'9;4EHH+E;+4;'J
8+HE;+;448+*;+;04'C404JH4+;49 '4+E40;'H;'J
04'C404J'+449HE;'8804'4+H;'J8+H+4+H4;+4C;E;+;4K
;4E;+;4*;J'J04;;H;+48';+49E+E;+49EE;+
'4+E40 8+H '+; 'HE+4D; + H; ' +44'0 8; 4 04; H88+
;*4; + J; 4EH E; ;L8+; +4; '88+*'0 '4+E40 ;4H+
4;+'4'0
'M
/ 0!!
12 "
1"22
! " ""A
N
% '
!
"A
!!
"
!"#
$#$
"
'!4
!4
!
8
8
""
!=
!
4
8
!=
!
"
48
""
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU4N50 500V N-Channel MOSFET
FQD4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD4P40 400V P-Channel MOSFET
FQU4P40 400V P-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD4N50_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQD4N50TF 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD4N50TM 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD4N50TM_WS 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD4P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET