參數(shù)資料
型號： FQD4N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 3 A, 250 V, 1.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 722K
代理商： FQD4N25
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU4N25 250V N-Channel MOSFET
FQD4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQU4N50 500V N-Channel MOSFET
FQD4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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