參數(shù)資料
型號(hào)： FQD4N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 3 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 701K
代理商： FQD4N20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU5N20 200V N-Channel MOSFET
FQD5N20 200V N-Channel MOSFET
FQU5N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為3.5A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD5N50 500V N-Channel MOSFET
FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD4N20_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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FQD4N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD4N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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