型號: | FQD30N06 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 60V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 22.7 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 5/9頁 |
文件大小: | 660K |
代理商: | FQD30N06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU30N06 | 60V N-Channel MOSFET |
FQD3N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FQU3N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FQD3N30 | 300V N-Channel MOSFET |
FQU3N30 | 300V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQD30N06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
FQD30N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD30N06LTF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD30N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD30N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |