參數(shù)資料
型號(hào)： FQB22N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 21 A, 300 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 773K
代理商： FQB22N30
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI22N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263
FQI30N06L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA
FQI33N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262AA
FQB33N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB22N30TM 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB22P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET
FQB22P10_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET MOSFET
FQB22P10TM 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB22P10TM_F085 功能描述:MOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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