參數(shù)資料
型號: FQAF90N08
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 80V N-Channel MOSFET
中文描述: 56 A, 80 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 673K
代理商: FQAF90N08
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, January 2001
F
Package Dimensions
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
±
0
2
±
0
2
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0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
2.00
±
0.20
2.00
±
0.20
4.00
±
0.20
2.00
±
0.20
0.85
±
0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
–0.10
0.90
+0.20
–0.10
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3PF
相關PDF資料
PDF描述
FQAF9N50 500V N-Channel MOSFET
FQAF9N90 900V N-Channel MOSFET
FQAF9P25 250V P-Channel MOSFET
FQB10N20 CAP 2200PF 100V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQI10N20 CAP 4700PF 50V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQAF9N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF9N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF9P25 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAG 制造商:FOX 制造商全稱:FOX 功能描述:Ceramic SMD Glass Seal Crystal
FQB10N20 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK