| 型號: | FQAF6N80 |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | 800V N-Channel MOSFET |
| 中文描述: | 4.4 A, 800 V, 1.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數: | 2/8頁 |
| 文件大小: | 745K |
| 代理商: | FQAF6N80 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQAF70N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQAF70N10 | CAP 68PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQAF70N15 | 150V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道功率MOSFET) |
| FQAF85N06 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FQAF8N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQAF6N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF70N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF70N10 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF70N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQAF7N60 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |