型號: | FQAF55N10 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
中文描述: | 41.9 A, 100 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | TO-3PF, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 650K |
代理商: | FQAF55N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQAF7N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-247VAR |
FQAF7N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQAF7N90 | 900V N-Channel MOSFET |
FQAF7N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
FQB45N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQAF58N08 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF5N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF65N06 | 功能描述:MOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF6N70 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF6N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |