參數(shù)資料
型號： FQAF48N20
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 30A條（丁）|對247VAR
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： FQAF48N20
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相關PDF資料
PDF描述
FQAF46N15 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強型MOSFET)
FQP26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220
FQP45N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220
FQP5N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220
FQPF24N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220F
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQAF58N08 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF5N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF65N06 功能描述:MOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF6N70 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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