型號: | FQAF26N30 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
中文描述: | 19 A, 300 V, 0.135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | TO-3PF, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/8頁 |
文件大?。?/td> | 729K |
代理商: | FQAF26N30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQAF46N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33.5A I(D) | TO-247VAR |
FQAF48N20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR |
FQAF46N15 | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
FQP26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220 |
FQP45N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQAF28N15 | 功能描述:MOSFET N-CH/250V/21.5A/0.085OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF33N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF33N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQAF34N20 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |