參數(shù)資料
型號: FQAF19N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: HAND TOOL FOR REEL
中文描述: 11.2 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 699K
代理商: FQAF19N60
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
2.00
±
0.20
2.00
±
0.20
4.00
±
0.20
2.00
±
0.20
0.85
±
0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
–0.10
0.90
+0.20
–0.10
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQAF20N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF22N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF22P10 100V P-Channel MOSFET
FQAF27N25 250V N-CHANNEL MOSFET
FQAF28N15 150V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQAF20N40 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF22N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQAF22P10 功能描述:MOSFET P-CH/100V/16.6A/0.125OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF26N30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR
FQAF27N25 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: