參數(shù)資料
型號(hào)： FQAF12N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 7.8 A, 600 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 539K
代理商： FQAF12N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
I
D
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Notes :
1. V
= 50V
2. 250 s Pulse Test
-55
150
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
V
DS
= 480V
Note : I
D
= 12 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
600
1200
1800
2400
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
35
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQAF12P20 200V P-Channel MOSFET
FQAF13N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF13N80 800V N-Channel MOSFET
FQAF14N30 300V N-Channel MOSFET
FQAF15N70 700V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQAF12P20 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF13N50 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF13N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF14N30 功能描述:MOSFET N-CH/300V/11.4A/0.29OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF15N70 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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