參數(shù)資料
型號： FQA9N90
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 900V N-Channel MOSFET
中文描述： 8.6 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 679K
代理商： FQA9N90
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, March 2001
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQA9P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的P溝道增強型MOSFET)
FQAF10N80 CAPACITOR KIT, FLEXITERM MLCCCAPACITOR KIT, FLEXITERM MLCC; Kit contents:30 Values
FQAF11N40 400V N-Channel MOSFET
FQAF11N90 900V N-Channel MOSFET
FQAF11N90C 900V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQA9N90_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA9N90_F109 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA9N90C 功能描述:MOSFET 900V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA9N90C_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQA9N90C_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*