參數(shù)資料
型號(hào)： FQA36P15
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 150V P-Channel MOSFET
中文描述： 36 A, 150 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 658K
代理商： FQA36P15
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, December 2003
F
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D uty F a ctor, D =t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 0 .51
℃
/W M a x.
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [se c ]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= -250
μ
A
-
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -18 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 175
3. Single Pulse
o
C
o
C
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
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PDF描述
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