參數(shù)資料
型號： FQA34N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 34 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 731K
代理商： FQA34N20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQA34N25 250V N-Channel MOSFET
FQA35N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQA36P15 150V P-Channel MOSFET
FQA38N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQA38N40 RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 2A 50V 50A-ifsm 0.92V-vf 25ns 5uA-ir SMB 3K/REEL-13
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參數(shù)描述
FQA34N20 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P
FQA34N20L 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA34N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA35N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQA36P15 功能描述:MOSFET 150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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