參數(shù)資料
型號： FPN530
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor
中文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 47K
代理商： FPN530
Typical Characteristics
Base-Emitter On Voltage vs
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25 °C
- 40 °C
125 °C
V = 2.0V
Input/Output Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
C
f = 1.0MHz
C
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β = 10
F
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
Current Gain vs Collector Current
800
V = 2.0V
0
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
600
700
H
F
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
TO-226
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