參數(shù)資料
型號(hào): FP20R06KL4
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Module
中文描述: 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-23
文件頁數(shù): 10/13頁
文件大?。?/td> 237K
代理商: FP20R06KL4
Technische Information / Technical Information
FP20R06KL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Vorlufig
Preliminary
I
F
V
F
[V]
R
T
C
[°C]
Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
Tj = 25°C
Tj = 150°C
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
Rtyp
100
1000
10000
100000
0
20
40
60
80
100
120
140
10(12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP25R12KE3 IGBT-Module
FP40R12KE3G Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17
FP50N06L 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
FP50R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 20A 600V
FP20R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP20SD 制造商:Thomas & Betts 功能描述:CONTACTS