參數(shù)資料
型號： FMS6G10US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 25PM-AA, 25 PIN
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 794K
代理商： FMS6G10US60
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60 Rev. B1
FM
S
6
G1
0US6
0
Comp
ac
t&
Comple
xModule
August 2005
FMS6G10US60
Compact & Complex Module
Features
Short Circuit Rated 10
s @ TC = 100°C, VGE = 15V
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 10A
High Input Impedance
Built-in 3 Phase Rectifier Circuit
Fast & Soft Anti-Parallel FWD
Built-in NTC Thermistor
Applications
AC & DC Motor Controls
General Purpose Inverters
Robotics
Servo Controls
UPS
Description
Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and
switching losses as well as short circuit ruggedness. It’s
designed for the applications such as motor control and general
inverters where short-circuit ruggedness is required.
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NTC
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Internal Circuit Diagram
Package Code : 25PM-AA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FN-LA1A MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK
FN-LA1B MALE-FEMALE, RF RIGHT ANGLED ADAPTER, PLUG-JACK
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參數(shù)描述
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G20US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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