參數(shù)資料
型號： FMMTL717
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1250 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： FMMTL717
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-12
-35
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-12
-25
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-8.5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current I
CBO
Emitter Cut-Off Current
-10
nA
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
V
CE
=-10V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-500mA, I
=-20mA*
I
C
=-1A, I
=-50mA*
I
C
=-1.25A,I
B
=-50mA
I
C
=-1.25A, I
B
=-50mA*
I
EBO
-10
nA
Collector Cut-Off Current I
CES
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-10
nA
V
CE(sat)
-24
-94
-160
-200
-40
-140
-240
-290
mV
mV
mV
mV
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-970
-1100
mV
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
-875
-1000
mV
I
C
=-1.25A, V
CE
=-2V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
300
300
180
100
50
490
450
275
180
110
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V
I
C
=-100mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-3A, V
CE
=-2V*
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
205
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
15
20
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
76
149
ns
ns
I
C
=-1A, V
=-10V
I
B1
=I
B2
=-10mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMTL717
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMTL718 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMV105G TTL
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FMG-14S CRYSTAL 13.560000 MHZ SMD 8PF
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參數(shù)描述
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