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參數(shù)資料
| 型號： | FMMTA70 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | SOT23封裝進步黨硅平面小信號晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | FMMTA70 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
SMALL SIGNAL TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
PARTMARKING DETAIL
FMMTA70 2CZ
COMPLIMENTARY TYPE
FMMTA20
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-4
V
Continuous Collector Current
I
C
-100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-40
V
I
C
=-1mA, I
B
=0
Base-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-4
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Base Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-30V, I
E
=0
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
40
400
I
C
=-5mA, V
CE
=-10V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.25
V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
Transition
Frequency
f
T
125
MHz
I
=-5mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
4
pF
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=100KHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMTA70
C
B
E
SOT23
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMZ5232 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5233 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5234 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5235 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
| FMMZ5236 | SOT23 SILICON VOLTAGE REGULATOR DIODES |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMTA70TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA70TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA92 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 300V, 200mA, 330mW, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40 ;RoHS Compliant: Yes |
| FMMTA92R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| FMMTA92TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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