參數(shù)資料
型號： FMM200-004PL
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench Power MOSFET
中文描述： 200 A, 40 V, 0.0039 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS, I4PAC-5
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 46K
代理商： FMM200-004PL
1 - 2
2004 IXYS All rights reserved
4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
FMM 200-004PL
I
D25
V
DSS
R
DSon typ.
= 2.8 m
= 200 A
= 40 V
Trench Power MOSFET
logic level gate control
Phaseleg Topology
in ISOPLUS i4-PAC
TM
Features
trench MOSFET
- logic level gate control
- very low on state resistance R
DSon
- fast switching
- fast body diode
ISOPLUS i4-PAC
TM
package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- enlarged creepage towards heatsink
- application friendly pinout
- low inductive current path
- high reliability
- industry standard outline
- UL registered, E 72873
Applications
automotive
- AC drives - starter generator
for 12/14V etc.
- choppers - replacing series resistors
for DC drives, heating etc.
- DC-DC converters
- electronic switches -replacing relays
and fuses
power supplies
- DC-DC converters
- solar inverters
- converters for fuel cells
battery supplied systems
- choppers or inverters for drives in
hand held tools
- battery chargers
MOSFET T1/T2
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
T
VJ
= 25°C to T
VJmax
40
V
V
GS
±20
V
I
D25
I
D90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
200
150
A
A
I
F25
I
F90
(body diode) T
C
= 25°C
(body diode) T
C
= 90°C
110
70
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
R
DSon
V
GS
= 10 V;
I
D
= 100 A
2.8
3.9 m
V
GSth
V
DS
= 20 V;
I
D
= 1 mA
1.1
2
V
I
DSS
V
DS
= 40 V;
V
GS
= 0 V; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
1
μA
mA
0.1
I
GSS
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
200
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
82
17
25
nC
nC
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
70
270
260
190
ns
ns
ns
ns
V
F
(body diode) I
F
= 100 A;
V
GS
= 0 V
1.2
1.7
V
t
rr
(body diode) I
F
= 20A;
-di/dt = 100A/μs; V
DS
= 20V
70
ns
R
thJC
R
thJS
1.0 K/W
K/W
with heat transfer paste
1.5
V
GS
= 5 V; V
DS
= 14 V; I
D
= 25 A
V
= 5 V; V
DS
= 30 V
I
D
= 25 A; R
G
= 10
1
5
Preliminary data
T1
T2
1
5
3
4
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM200-0075P Trench Power MOSFET
FMM300-0055P Trench Power MOSFET
FMM5061VF X-Band Power Amplifier MMIC
FMM5709X K/Ka Band Low Noise Amplifier MMIC
FMM5805GJ-1 17.7-19.7GHz Power Amplifier MMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMM200-0075P 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Trench Power MOSFET
FMM20H-XP 功能描述:汽車連接器 TERM SHUR PLUG FML RoHS:否 制造商:Amphenol SINE Systems 產(chǎn)品:Contacts 系列:ATP 位置數(shù)量: 型式:Female 安裝風(fēng)格: 端接類型: 觸點電鍍:Nickel
FMM22-05PF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM22-06PF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM22DREF 功能描述:CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:65 位置數(shù):130 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點:側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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