參數(shù)資料
型號(hào)： FMB-2206
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： FMB-2206
84
10
20
50
40
30
0 1
5
50
10
20ms
SPB-G34S
100
Case Temperature Tc
(
°
C)
95
105
110
115
120
125
0
1.0
0.5
2.0
1.5
2.5
3.0
V
R
=40V
D.C.
t/T=
t/T 1/3
=
t/T=
Sinewave
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
a
=
°
C
100
°
C
60
°
C
28
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.005
0
10
30
50
60
20
40
100
°
C
T
a
=
°
C
60
°
C
28
°
C
SPB-64S
10
20
50
40
30
0 1
5
50
10
20ms
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
10
30
50
60
20
40
80
70
90
100
110
120
130
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
R
=
40V
D.C.
t/T 1/6
=
t/T=
t/T=
Sinewave
T
a
125
°
C
=
100
°
C
60
°
C
27
°
C
100
°
C
T
a
=
°
C
60
°
C
27
°
C
10
20
50
40
30
60
0 1
5
50
10
20ms
SPB-G54S
80
Case Temperature Tc
(
°
C)
70
90
100
110
120
130
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
R
=40V
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
D.C.
t/T=
t/T=
t/T=
Sinewave
T
a
=
°
C
100
°
C
60
°
C
28
°
C
500
100
10
1
0.1
0.01
0.005
0
10
30
50
60
20
40
100
°
C
T
a
=
°
C
60
°
C
28
°
C
SPB-G56S
10
20
30
50
40
60
0 1
5
50
10
20ms
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
20
10
1
0.1
0.01
0.001
80
Case Temperature Tc
(
°
C)
70
90
100
110
120
130
0
2.0
1.0
3.0
4.0
6.0
5.0
V
R
=60V
D.C.
t/T=
t/T=
t/T 1/2
=
Sinewave
T
a
=
°
C
100
°
C
60
°
C
23
°
C
0
20
30
50
60
70
10
40
100
°
C
T
a
=
°
C
60
°
C
23
°
C
50
10
1
0.1
0.01
0.001
SPB-66S
0
1
2
3
4
6
5
100
110
Case Temperature Tc
(
°
C)
120
130
140
150
0
1
2
3
4
6
5
0
1
2
3
4
6
5
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
8
5
6
7
0
50
100
150
0
1
2
3
4
6
5
D.C.
Sinewave
t/T=1/2
t/T=1/3, Sinewave
t/T=1/6
D.C.
1
–
t/T=1/2
1
–
t/T=2/3
1
–
t/T=5/6
Tj=
150
°
C
T
t
t/T=1/2
t/T
=
1/2
t/T=1/3, Sinewave
t/T
=
1/3
t/T=1/6
t/T
=
1/6
D.C.
Tj=150
°
C
T
t
V
R
=0V
V
R
=
60V
Tj=
150
°
C
T
t
Sinewave
Tj
=150
°
C
T
t
I
F
I
F
I
F
I
F
Tc
—
I
F (AV)
Derating
A
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—
I
R
Characteristics
(Typical)
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—
I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
P
F
(
I
FMS
Rating
Tc
—
I
F (AV)
Derating
A
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—
I
R
Characteristics
(Typical)
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—
I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
P
F
(
I
FMS
Rating
Tc
—
I
F (AV)
Derating
A
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—
I
R
Characteristics
(Typical)
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—
I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
P
F
(
I
FMS
Rating
Tc
—
I
F (AV)
Derating
Case Temperature Tc
(
°
C)
A
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—
I
R
Characteristics
(Typical)
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—
I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
P
F
(
I
FMS
Rating
Tc
—
I
F (AV)
Derating
A
F
(
Tc
—
I
F (AV)
Derating
Case Temperature Tc
(
°
C)
A
F
(
Average Forward Current I
F(AV)
(A)
F
F
(
I
F(AV)
—
P
F
Characteristics
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—
P
R
Characteristics
Characteristic Curves
Schottky Barrier Diodes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FME-2106 Schottky Barrier Diodes
FMBB4148 200 mW EPITAXIAL PLANAR DIODES
FMC1A Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
FMC7A Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
FMC2A Power management (dual digital transistor)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMB2222A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB2222A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, QUAD NPN, 40V SSOT-6
FMB2222A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB2227A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ PNP Dual Trans Complimentary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB2227A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ PNP Dual Trans Complimentary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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