參數(shù)資料
型號： FMA3A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Emitter common (dual digital transistors)
中文描述： 發(fā)射極常見（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： FMA3A
EMA3 / UMA3N / FMA3A
ansistors
Tr
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Rev.A
2/2
Parameter
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
50
V
V
V
mA
2
mW
1
C
C
50
5
100
300 (TOTAL)
150 (TOTAL)
150
55 to
+
150
Symbol
Limits
Unit
EMA3, UMA3N
FMA3A
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE (sat)
R
1
Min.
50
50
5
100
3.29
250
4.7
0.5
600
0.3
6.11
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
50V
V
CE
/I
C
=
5V/
1mA
I
C
/I
B
=
5mA/
0.25mA
V
V
μ
A
I
EBO
0.5
V
EB
=
4V
μ
A
V
k
Typ.
Max.
Unit
Conditions
f
T
250
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Input resistance
Transition frequency of the device
z
Packaging specifications
Package
Emitter cutoff current
Transition frequency
Code
TR
T148
3000
3000
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
UMA3N
T2R
8000
EMA3
FMA3A
Type
z
Electrical characteristic curves
V
CE
=
5V
100
μ
1m
10m
200
μ
2m
20m
500
μ
5m
50m
100m
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.1 DC current gain vs. collector
current
40C
Ta=125C
l
C
/l
B
=20
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
μ
1
1m
10m
200
μ
2m
20m
500
μ
5m
50m
100m
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.2 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta=100C
25C
40C
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PDF描述
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