參數(shù)資料
型號(hào)： FM1030-T
廠商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述： 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： FM1030-T
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (FM1020-T THRU FM1040-T)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
2
4
6
8
10
12
2000
2400
2800
1600
1200
800
400
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
Tj=25 C
Tj=25 C
100
50
0
150
250
200
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
CASE TEMPERATURE,( C)
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
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PDF描述
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FM1020 Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM1030 Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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