參數(shù)資料
型號： FLM5972-8F
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： C-Band Internally Matched FET
中文描述： C波段內(nèi)部匹配場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： FLM5972-8F
2
FLM5972-8F
C-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
50
0
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
40
50
30
20
10
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 7.2GHz
f2 = 7.21 GHz
2-tone test
16
18
20
22
24
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
25
27
29
31
33
23
21
-55
-45
-35
-25
O
IM3
Pout
I
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
41
39
40
36
37
38
35
34
6.0
6.2
6.4
6.6
6.8
7.0
7.2
Pin=31dBm
25dBm
27dBm
29dBm
VDS=10V
P1dB
Frequency (GHz)
O
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
f = 6.4 GHz
24
26
28
30
32
Input Power (dBm)
40
42
38
36
34
32
30
45
60
15
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FLM6472-18F C-Band Internally Matched FET
FLM6472-25F C-Band Internally Matched FET
FLM6472-6F C-Band Internally Matched FET
FLM7179-12F C-Band Internally Matched FET
FLM7179-6F C-Band Internally Matched FET
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