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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLM5359-4F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | C-Band Internally Matched FET |
| 中文描述： | C波段內(nèi)部匹配場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | FLM5359-4F |
2
FLM5359-4F
C-Band Internally Matched FET
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 5.9 GHz
f2 = 5.91GHz
2-tone test
8
10
12
14
16
18
20
22
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
24
26
28
30
32
22
20
-50
-40
-30
-20
O
IM3
Pout
I
POWER DERATING CURVE
12
6
24
30
18
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=27dBm
22dBm
24dBm
20dBm
5.5
5.3
5.7
5.9
5.8
5.6
5.4
Frequency (GHz)
37
38
35
36
34
33
32
31
O
VDS=10V
P1dB
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
f = 5.6 GHz
20
16
18
22
24
26
28
Input Power (dBm)
34
36
38
32
30
28
30
45
15
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLM5359-8F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5972-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5972-4F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5972-8F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM6472-18F | C-Band Internally Matched FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLM5359-8F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:C-Band Internally Matched FET |
| FLM56/10 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
| FLM5964-12F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, C-Band, 10dB, 5.9 6.4GHz, 3250mA, Bulk |
| FLM5964-12F/001 | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, C-Band, 9dB, 5.85 6.75GHz, 3250mA, Bulk |
| FLM5964-18F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:C-Band Internally Matched FET |
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