參數(shù)資料
型號(hào)： FLL600IQ-3
廠(chǎng)商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： L-Band Medium & High Power GaAs FET
中文描述： L波段中等
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 102K
代理商： FLL600IQ-3
2
FLL600IQ-3
L-Band Medium & High Power GaAs FET
VDS = 12.0V
IDS = 4.0A
f = 2.7GHz
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
50
10
0
20
30
40
50
60
O
35
37
39
41
43
45
47
49
51
O
η
a
Pout
η
add
VDS = 12.0V
IDS = 4.0A
f = 2.7GHz
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
25dBm
30dBm
35dBm
38dBm
Pin=40dBm
Frequency (GHz)
Input Power (dBm)
POWER DERATING CURVE
40
80
100
120
140
60
20
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
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PDF描述
FLL810IQ-3C L-Band High Power GaAs FET
FLL810IQ-4C L-Band High Power GaAs FET
FLLD261 HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
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