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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL21E135IX |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L,S-band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | FLL21E135IX |
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
V
DS
=28V, I
DS
=1000mA, f=2.14GHz
FLL21E135IX
L,S-band High Power GaAs FET
Output Power vs. Frequency
V
DS
=28V, I
DS
=1000mA
Two-Carrier IMD(ACLR) vs. Output Power
V
DS
=28V, I
DS
=1000mA, fo=2.1325, f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR vs. Output Power
V
DS
=28V, I
DS
=1000mA, fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output Power[dBm]
A
0
5
10
15
20
25
30
35
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
2.08
2.1
2.12
2.14
2.16
2.18
2.2
Frequency [GHz]
O
Pin=24dBm
Pin=28dBm
Pin=32dBm
Pin=36dBm
Pin=40dBm
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
D
η
d
Pout
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output power(dBm)
I
0
5
10
15
20
25
30
35
D
IM3
IM5
Drain Efficiency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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