參數(shù)資料
型號(hào)： FKN2L60
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
中文描述： 600 V, 1.5 A, TRIAC, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： FKN2L60
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, April 2004
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 7. Allowable Case, Ambient Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 8. Maximum On-state Power Dissipation
Figure 9. Repetitive Peak Off-state Current
vs Junction Temperature
Figure 10. Holding Current vs
Junction Temperature
Figure 11. Breakover Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Gate Trigger Current vs
Gate Current Pulse Width
0.0
0.2
0.4
0.6
ON-STATE CURRENT [A]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
T
a
T
C
M
T
C
M
a
M
o
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
RMS ON-STATE CURRENT [A]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
O
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
2
10
3
10
4
10
5
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
1
10
100
10
100
1000
I
Ⅲ
I
Ⅱ
I
Ⅰ
N
GATE CURRENT PULSE WIDTH [
μ
s]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FKN2L80 Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
FKPF10N80 Application Explanation
FKPF12N60 Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
FKPF12N80 Application Explanation
FKPF2N80 Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2;
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FKN2L60BU 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
FKN2L60FBU 功能描述:雙向可控硅 Bi-Di Triode Thyristor Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
FKN2L80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
FKN2L80BU 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
FKN2L80FBU 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*