參數資料
型號： FJN4310R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： FJN4310R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, August 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation
Figure 3. Power Derating
-0.1
-1
-10
-100
10
100
1k
10k
h
F
,
V
CE
= - 5V
R = 10K
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-1
-10
-100
-1000
I
C
= 10I
B
R = 10k
V
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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FJN4310RBU_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN4310RTA 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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