參數(shù)資料
型號(hào): FJN13003
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor
中文描述: 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 49K
代理商: FJN13003
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2001
Typical Characteristics
Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 8. Reverse Bias Safe Operating Area
1
10
100
1000
1m
10m
100m
1
10
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
200
400
600
800
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
BE(OFF)
= - 5V
R
B2
= 0, I
= 1A
V
CC
= 10V, L = 50mH
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJN3301R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3302R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3303 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3303R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3304R NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJN13003BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJN13003TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJN13003TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJ-N3010L 制造商:Stellar Labs Power 功能描述:Fujitsu LifeBook Replacement Laptop Battery
FJN3301R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor