參數(shù)資料
型號(hào)： FJE3303H1
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Applications
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： FJE3303H1
2
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
Collector-Base Breakdwon Voltage
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 1.0A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CC
= 125V, I
C
= 1A
I
B1
= 0.2A, I
B2
= -0.2A
R
L
= 125
700
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
9
V
Collector Cut-off Current
10
μ
A
μ
A
Emitter Cut-off Current
10
DC Current Gain *
8
5
21
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5
1.0
3.0
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
1.0
1.2
V
V
f
T
C
ob
t
ON
t
STG
t
F
Current Gain Bandwidth Product
4
MHz
Output Capacitance
21
pF
Turn On Time
1.1
μ
s
μ
s
μ
s
Storge Time
4.0
Fall Time
0.7
H1
H2
h
FE1
8 ~ 16
14 ~ 21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJE3303H2 High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303 High Voltage Switch Mode Applications
FJE5304D High Voltage High Speed Power Switch Application
FJH1100 Ultra Low Leakage Diode
FJH1101 Ultra Low Leakage Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJE3303H1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT Silicon Transistor NPN Sil Xstr Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE5304D 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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