參數(shù)資料
型號(hào)： FJD5304DTF
廠商： Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述： TRANS SWITCHING FAST HV DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖： DPAK, D2PAK Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
晶體管類型： NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 400V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）： 1.5V @ 500mA，2.5A
電流 - 集電極截止（最大）： 100µA
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)： 8 @ 2A，5V
功率 - 最大： 30W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝： D-Pak
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1601 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： FJD5304DTFDKR
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
2
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
J5304D
FJD5304DTM
D-PAK
13” Dia
-
2500
J5304D
FJD5304DTF
D-PAK
13” Dia
-
2000
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max. Units
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 1mA, IE = 0
700
V
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 5mA, IB = 0
400
V
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 1mA, IC = 0
12
V
ICES
Collector Cut-off Current
VCB = 700V, IE = 0
100
A
ICEO
Collector Cut-off Current
VCB = 400V, IB = 0
250
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 12V, IC = 0
1
mA
hFE
DC Current Gain
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 5V, IC = 2.0A
10
840
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 0.5A, IB = 0.1A
0.7
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.0
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.5
V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 0.5A, IB = 0.1A
1.1
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.2
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.3
V
tSTG
Storage Time
VCLAMP=200V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, VBE(off)=-5V, L=200H
0.6
s
tF
Fall Time
0.1
s
tSTG
Storage Time
VCC=250V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, IB2=-0.4A, TP=30s
2.9
s
tF
Fall Time
0.2
s
VF
Diode Forward Voltage
IF = 2A
2.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VI-J0Z-EZ CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W
AT-S-26-4/4/B-7-R MOD CORD STANDARD 4-4 BLACK 7'
GCC15DRAS CONN EDGECARD 30POS R/A .100 SLD
MAX1879EUA+ IC CHARGER LI+ PULSE 8UMAX
EBC31DRTF CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJD5304DTM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5553 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5553TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5555TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*