參數(shù)資料
型號: FGPA-2105-A23
廠商: PASCALL ELECTRONICS LTD
元件分類: 放大器
英文描述: RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 71K
代理商: FGPA-2105-A23
相關PDF資料
PDF描述
FGPA-2105-A22 RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
FGPA-16040-B23 RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
FH12-5S-1SH 5 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
FH12-6S-1SH 6 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
FH12-6S-1SV 6 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FGPF10N60UNDF 功能描述:IGBT 晶體管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGPF120N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 120A PDP IGBT
FGPF120N30TU 功能描述:IGBT 晶體管 300V 120A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGPF15N60UNDF 功能描述:IGBT 晶體管 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGPF30N30 功能描述:IGBT 晶體管 300V 30A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube