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參數(shù)資料
| 型號： | FGPA-12040-C11 |
| 廠商： | PASCALL ELECTRONICS LTD |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | FGPA-12040-C11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FGPA-12040-B13 | RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| FGPA-12040-B11 | RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGPF10N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGPF120N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 120A PDP IGBT |
| FGPF120N30TU | 功能描述:IGBT 晶體管 300V 120A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGPF15N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGPF30N30 | 功能描述:IGBT 晶體管 300V 30A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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