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參數(shù)資料
| 型號： | FGA30000 |
| 英文描述： | Gate Array |
| 中文描述： | 門陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | FGA30000 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA4000 | Gate Array |
| FGA | |
| FGR2000BV90 | THYRISTOR|GTO|4.5KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
| FGR2000BH40 | THYRISTOR|GTO|2KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
| FGR2000BH50 | THYRISTOR|GTO|2.5KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGA30N120FTD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1200V NCHANNEL IGBT - Rail/Tube |
| FGA30N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 30A FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA30N60LSD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:MOSFETs and bipolar transistors |
| FGA30N60LSDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 30A 600V N-Ch Planar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA30N65SMD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:650V 30A FS PLANAR GEN2 IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 |
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