型號(hào): | FF8R12K4 |
英文描述: | IGBT Module |
中文描述: | IGBT模塊 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 105K |
代理商: | FF8R12K4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FF90R17KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.7KV V(BR)CES | 90A I(C) | M:HL093HW048 |
FFD040 | Optoelectronic |
FFD91 | Optoelectronic |
FFM10W | FAST RECOVERY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 1000 to 1800 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
FFM12W | FAST RECOVERY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 1000 to 1800 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FF9 | 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全稱:GAMEWELL-FCI 功能描述:NAC Expander/Power Supply |
FF900R12IE4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF900R12IP4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF900R12IP4D | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF900R12IP4NTC | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |