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參數(shù)資料
| 型號： | FF500R25KF1 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | FF500R25KF1 |
Technische Information / Technical Information
FF 500 R 25 KF1
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
2500
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
500
A
T
C
= 25 °C
I
C
800
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
1000
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
5,2
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
500
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
1000
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
100
kA
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 500A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
-
3,0
3,5
V
I
C
= 500A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
3,8
4,3
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 40mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,3
5,3
6,3
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
9
-
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
48
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
4
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 2500V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
10
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Oliver Schilling
date of publication: 01.09.2001
approved by: Thomas Schütze
revision: 3
1
FF5_1@3.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA0150 | Gate Array |
| FGA0200 | Gate Array |
| FGA0600 | Gate Array |
| FGA1300 | Gate Array |
| FGA15000 | Gate Array |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF50R06KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KF3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KL2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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