參數(shù)資料
型號(hào): FF400R16KF1
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.6KV五(巴西)國際消費(fèi)電子展|四樓一(c)|米:HL124HW114
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: FF400R16KF1
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF400R17KF6CB2 IGBT Module
FF401R17KF6CB2V IGBT Module
FF4R12K4 IGBT Module
FF4R16K4 IGBT Module
FF50R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF400R16KF4 功能描述:IGBT 模塊 1600V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R17KF6CB2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module