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參數(shù)資料
| 型號： | FF400R12KF4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | FF400R12KF4 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF400R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| FF6224 | Analog IC |
| FF6R12K4 | IGBT Module |
| FF6R16KF | IGBT Module |
| FF800R12KL4C | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF400R12KL4C | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R12KT3_E | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R16KF1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114 |
| FF400R16KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1600V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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