參數資料
型號: FF100R12KF
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 100號A一(c)|米:HL093HW048
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代理商: FF100R12KF
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FF100R12KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048
FF100R12KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048
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相關代理商/技術參數
參數描述
FF100R12KF2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048
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FF100R12KS4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF100R12MT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF100R12RT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: