參數(shù)資料
型號(hào): FDY100PZ
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 6/6頁
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描述: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 20/Aug/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-523F, SC89-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 350mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 歐姆 @ 350mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 10V
功率 - 最大: 446mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-89,SOT-490
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-89-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1605 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDY100PZDKR