參數(shù)資料
型號: FDV301N_NB9V005
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 2/5頁
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描述: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 220mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 歐姆 @ 400mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.06V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDV301N_NB9V005DKR